中国科学家开创第三类存储技术

近日，中国复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间2018年4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。（图源：新华社）

据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如人们常用的Ｕ盘，在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内清洗硅片（拼版照片）。（图源：新华社）

将清洗好的硅片放入容器内。此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒至10年）的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗，同时能实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。（图源：新华社）

复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。（图源：新华社）

团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。（图源：新华社）

科研人员称，基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。（图源：新华社）

刘春森在实验室内对硅片进行切割。（图源：新华社）

刘春森在实验室内将硅片放入仪器。（图源：新华社）