据报道，中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片，将在美国硅谷首次公开。清华紫光子公司长江存储将在当地时间8月7日出席美国《美国的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit）》，公开32层、64层3D NAND。
此前有报道称，长江存储3D NAND架构预计2019年产品量产，此次在美国公开，显示项目进展顺利。目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。
机构认为，在国家大基金和地方政府产业基金等支持下，我国集成电路产业资金投入可谓不惜血本，存储器领域又是重点扶持领域，行业未来发展前景不可限量。
相关公司方面，据选股宝主题库（xuangubao.cn）半导体 板块显示，
国科微：研制出完全自主可控的国内首款高性能固态存储控制器芯片；基于自主固态存储控制器芯片开发出包括SATA 3.0、PCIe 2.0等接口形态固态硬盘系列产品及相应解决方案。
紫光国微：主要产品包括智能卡安全芯片、特种集成电路、存储器芯片和晶体元器件，此外紫光集团旗下还拥有国内存储龙头之一长江存储，集团旗下资产整合想象空间巨大
华天科技：公司主营集成电路封装业务，已与长江存储旗下武汉新芯签署合作协议，在封装、测试业务上开展合作。
兆易创新：国内存储龙头，是A股中技术最为先进的存储厂商；NORFlash、NAND Flash及MCU为主要产品的业务板块，客户涵盖三星、展讯、汇顶、紫光。
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