在遭遇美国封杀后，中国才真正领略到芯片困境带来的切肤之痛，因而中国在芯片技术领域的任何风吹草动，都会引发舆论关注。
中国在芯片领域与西方世界的差距不止一点半点（图源：VCG）
中科院光电技术研究所11月29日宣布，研制“全球首台分辨力最高紫外超分辨光刻机”。随即该消息引爆舆论，认为这有助于缓解芯片带来的压力。
中国《科技日报》称，该光刻分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10纳米级别的芯片。
不过，12月1日，中国自媒体“半导体行业观察”刊文称，“光刻分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10纳米级别的芯片”说法是错误的。
因为行业内专家称，如果真能做到22纳米线宽，不用多次成像，单次曝光就可以做到10纳米。
对于舆论所谓的“新型光刻机缓解芯片压力”这种说法，文章也认为是错误，因为表面等离子体超分辨光刻技术与半导体集成电路完全无关，无法应用到集成电路领域。
再者，这种技术并非中国首创，海外也有很多实验室做出成品验证机，且效果要优于中国产。
而在中国知识分享平台“知乎”中，一位自称是中科院光电技术研究所的网友认为，上述技术是在中国领先的，且该机构从来没有说过可用于芯片领域，都是媒体不懂行乱报的。
不过，作为中国科技界最高水准的报纸，《科技日报》出现这种错误，被指不可原谅。
但上述自媒体也坦承，这种技术在大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片和超表面成像器件等领域有很重要的应用。
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