另辟蹊径 中国科学家造出9纳米光刻试验样机

中国科研团队成功研制出9纳米光刻试验样机。

中国每年进口芯片的费用超过进口石油的费用（图源：VCG）

中国《科技日报》于北京时间4月15日披露，这项成果由中国武汉光电国家研究中心的甘棕松团队创造。

光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备，主流深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产。

报道强调，2009年甘棕松团队在没有任何可借鉴的技术情况下，开拓一条光制造新的路径。

甘棕松团队掌握的双光束超衍射极限光刻技术不同于主流集成电路光刻机从193纳米波长的DUV过渡到13.5纳米波长的EUV的技术路线。

报道表示，经过团队两年工程开发，已造出性能超海外的有机树脂、半导体材料、金属等光刻胶。

双光束超衍射极限光刻系统关键零部件如飞秒激光器、聚焦物镜均已国产化。

报道指，上述系统目前应用于微纳器件的三维光制造，在解决速度等问题后，可用于集成电路制造。甘棕松强调，打破三维微纳光制造技术海外垄断，将使中国从材料、软件到光机电零部件不再受制于人。

因芯片的巨量需求，加之中美贸易战的封杀刺激，中国加大在光刻机领域的投入。

今年3月1日，在北京科技奖励大会上，清华大学朱煜团队主导的新型光刻机技术项目获一等奖。

《科技日报》当时披露，该项目全称纳米运动精度光刻机超精密双工件台技术与应用。

报道称，朱煜团队突破的技术，让中国成为全球第二个掌握双工件台研制技术的国家，是中国国产高端光刻机发展的标志。

中国已研制出两台样机，而美日掌握的是单工件台，其生产速度只有每小时80片，双工件台的生产速度可以高达每小时270片至300片。

另外，中国研制的双工件台在高速运动的情况下，达到2纳米的运动精度，接近阿斯麦双工件台的精度。