进入5G世代，5G产品大多具备高功率、高压、高温等特性，传统的硅（Si）原料因无法克服在高压、高频中的损耗，所以已无法满足新世代的科技需求，这使得碳化硅（SiC）开始崭露头角。
据1月1日报道，利用SiC制作出的电子零组件相对于Si的优势主要来自三个方面：降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。
根据Yole Développement报告指出，到2024年，SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元，2018年至2024年期间的年复合成长约30%。其中，汽车市场无疑是最重要的驱动因素，其占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。
2018年8月21日，中国重大科研装备研制项目“4米量级高精度碳化硅（SiC）非球面反射镜集成制造系统”在吉林长春通过项目验收。（VCG）
由于SiC能够提供较高的电流密度，常被用来制作功率半导体的零组件。Yole指出，SiC最大的应用市场来自汽车，与传统解决方案相比，利用SiC的解决方案可使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密。
目前SiC零组件在新能源车上应用主要是功率控制单元（PCU）、逆变器，及车载充电器等方面。
功率控制单元为车电系统的中枢神经，管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统PCU使用硅原料制成，而强电流与高压电穿过硅制电晶体和二极体时的电能损耗是混合动力车最主要的电能损耗来源。至于使用SiC原料则可大幅降低这过程中的电能损耗，约10%。
逆变器：SiC用在车用逆变器上，能够大幅度降低逆变器尺寸及重量，做到轻量化与节能。在相同功率等级下，全SiC模组的封装尺寸明显小于Si模组，约43%，同时也可以使开关损耗降低75%。
特斯拉Model 3就是采用ST与Infineon生产的SiC逆变器，是第一家在主逆变器中整合全SiC功率模组的车厂。
在车载充电器方面，SiC零组件正在加速渗透至车载充电器领域。据Yole统计，截至2018年有超过20家车厂在自家车载充电器中采用SiC SBD或SiC MOSFET零组件，且这一市场在2023年之前可望保持44%的增长。
报道指出，全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三强鼎立态势。其中又以美国独大，占全球SiC产值约70%至80%。当中主要的企业有Cree、Transphorm、II-VI、Dow Corning。
欧洲方面则是拥有完整的SiC产业链，包含基底、磊晶、零组件及应用产业链。主要企业则有：Siltronic、ST、IQE、Infineon等。
日本则是SiC设备和模组开发方面的领导者。主要企业则有：松下、罗姆半导体、住友电气、三菱化工、瑞萨、富士电机等。
中国虽有涉入，但发展仍在初期，规模远不如上述三个国家的企期。中国厂目前在基底、磊晶和零组件方面均有布局。主要企业有:中电科、天科合达、泰科天润、山东天岳、东莞天域、深圳基本半导体、上海瞻芯电子、三安集成等。
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