“中国的创新与设计能力正以高速赶上世界领先水平。为充分利用中国市场的增长潜力，该集团计划继续深化与中国客户的合作。”3月31日晚，中芯国际表示。
中国大陆媒体观察者网北京时间4月1日报道，IHS Markit数据显示，中国集成电路设计市场2019年规模约400亿美元，并将在2023年达到860亿美元，年复合增长率超21%。
2019年，芯片制造商中芯国际中国业务的营收占比达到59.5%。尽管总收入下降7.3%，但基于其在华的战略位置，该公司顺势将2020年的增长率目标定为11%至19%，并计划将毛利率维持在20%，保持盈利。
在工艺制程方面，中芯国际14nm已贡献营收的1%；N+1的研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段。后者也被外界认为相当于台积电的第一代7nm工艺。
市场角逐上，据观察者网1月报道，中芯国际已经“挤走”台积电，夺得中国科技巨头华为旗下芯片企业海思半导体的14nm FinFET工艺芯片代工订单。
中芯国际指出，新冠病毒疫情给2020年的开始蒙上一层阴影，“然而我们相信，展望未来，中国将继续扩大其于半导体业中的角色”。
中芯国际财报披露，在经营环境挑战颇大的情况下，2019年实现营收31.2亿美元，同比下降7.3%；实现净利润2.35亿美元，同比增长75%；当期毛利率为20.6%，比上年同期下降1.6个百分点；另外，年内经营活动所得现金为10.2亿美元，同比增长27.5%。
研发方面，中芯国际2019年的研发投入为再创新高的6.9亿美元，同比增长4.5%，占营收比例约22%。
中芯国际2019第四季度电话财报会议中，其联合CEO梁孟松博士透露，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。（新华社）
中芯国际在财报中表示：当年在先进制程研发取得突破性进展。第一代14nm FinFET技术已进入量产，上季度贡献约1%的收入，预计在2020年稳健上量；第二代FinFET技术平台持续客户导入。
中芯国际更先进的FinFET技术开发进展速度加快。其开发了14/12nm多种特色工艺平台，N+1的研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段。
评论 (0)