4月8日零时，武汉市正式解除离汉离鄂通道管控措施，而位于武汉的中国国家存储器基地长江存储的研发进展以及受疫情影响情况受到业内的高度关注。
中国大陆媒体全球半导体观察北京时间4月8日报道，据《证券时报》报道，针对长江存储最先进128层3D NAND技术的研发进度，长江存储CEO杨士宁表示，研发进度在短期确实会有所波及。不过，目前长江存储已实现全员复工，各项进度正在抓紧追赶，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。同时，128层技术会按计划在2020年推出。
资料显示，长江存储成立于2016年7月，肩负中国存储器芯片生产重任，负责3D NAND闪存设计制造一体化。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存；2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。
2020年1月16日，在长江存储召开的市场合作伙伴年会上，杨士宁曾表示，长江存储已规划2020年将提供嵌入式存储、固态硬盘（SSD）等完整解决方案产品，面向更多通讯、系统整机客户。
长江存储担负着中国实现存储芯片本土化生产的重要使命。（新华社）
自长江存储2019年三季度量产第二代64层3D NAND闪存到现在，市场总体给予了正面积极的评价，下一步，长江存储的第三代产品将跳过96层，直接上128层堆叠闪存。据《上海证券报》此前报道，中国集成电路大基金二期正在紧锣密鼓推进过程中，湖北后续还有一批重大项目，比如说要重点支持长江存储一期迅速提高产能，同时择机联合各方出资人启动长江存储二期。
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