科学家成功研制出2D金属芯片，储存速度提高100倍

科学家已研制出一款金属芯片，可以让储存速度提高100倍，同时也为开发下一代数据存储材料奠定了基础。

据近日发表的一项研究报道称，一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维（2D）金属芯片，其厚度仅三个原子，其可代替硅芯片存储数据，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更节能，同时储存速度提高了100倍之多。

随着需要记忆芯片和存储芯片的设备呈爆发式增长，芯片市场已发生变化。（视觉中国）

研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流，使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移，并利用奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后，他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性，在不干扰排列的情况下读取数据。

与现有的基于硅的数据存储系统相比，新系统具有巨大优势——它可以将更多的数据填充到极小的物理空间中，并且非常节能。此外，其偏移发生得如此之快，以至于数据写入速度可以比现有技术快100倍。

对超薄层进行非常小的调整，就会对它的功能特性产生很大的影响，而人们可以利用这一知识来设计新型节能设备，以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式。