SK海力士拟在日本建半导体工厂……美国施压或成变数

投资规模或达数十万亿韩元……首次对日进行大规模投资

经《韩民族日报》核实，SK海力士正在推进一项方案，拟斥资数十万亿韩元，在日本东北部宫城县建设存储芯片晶圆厂（Fab）。若项目落地，将成为韩国半导体企业首次为在日本建立生产基地而进行大规模投资。不过，随着对日投资逐渐明朗，美国要求韩国企业在美投资存储芯片项目的压力也在加大，韩国企业在未来投资选址上的权衡预计将更加复杂。

20日，据《韩民族日报》综合采访获悉，SK海力士正在推进在日本本土本州岛东北地区的宫城县建设存储芯片晶圆厂。商界人士表示：“据我所知，SK集团会长崔泰源最近也亲自到访了该地区。”宫城县与九州、北海道一道，是日本政府正在重点培育的三大半导体产业基地之一。

投资规模据称或达数十万亿韩元。与在韩国龙仁和湖南地区半导体集群推进的数百万亿韩元规模投资相比，SK海力士拟在日本建设的生产基地规模相对较小。按照该方案，SK海力士将在按原计划推进韩国龙仁、湖南地区半导体集群建设的同时，在海外新增生产基地。此举被视为在全球存储芯片供需持续紧张之际，通过提前投资扩大产能的布局。

若这一计划落地，SK海力士将继美国美光科技、台湾台积电（TSMC）之后，成为第三家在日本设立半导体制造工厂的外国企业。三星电子目前仅在日本横滨设有下一代半导体封装研发基地。

不过，在美国正向韩国政府和企业施压、要求其在美投资建设存储芯片晶圆厂的情况下，如果对日投资落地，美国要求扩大在美生产的压力可能进一步加大，这被视为该项目的一项风险。此外，半导体是韩国的战略产业，对日投资还需面对韩国国内舆论的警惕以及政治不确定性。

裴智贤 朴钟午 记者