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SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。预计钼沉积设备市场2027年销售额超10亿美元。
8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文，阐述3D NAND闪存制造从钨（Tungsten，W）向钼（Molybdenum，Mo）转型的技术逻辑。
3D NAND大约十年前就停止了横向缩小，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线（word lines）遭遇了物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法完成有效填充。
SemiAnalysis在推文表示：“钼不是一种优化，是300层以上NAND的必选项。”
与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻（带来更快的读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的三个核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的工程改进。
行业现状：量产仍在2xx层，转折点已至
SemiAnalysis梳理了当前各大厂商的层数位置：铠侠/闪迪（Kioxia/SanDisk）处于218层，美光（Micron）276层，三星（Samsung）286层，SK海力士以321层处于行业前沿。
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