英特爾先進封裝再添大單 台積老客戶SK海力士跳槽
記者鐘惠玲／綜合報導 2026-08-25 02:10 ET 聽新聞 test 0:00 /0:00 Your browser does not support HTML5 Audio! 😢 英特爾EMIB先進封裝發展概況 資料來源：採訪整理英特爾衝刺先進封裝再傳捷報，南韓記憶體大廠SK海力士披露，將於下一代高頻寬記憶體（HBM）導入英特爾EMIB先進封裝技術。SK海力士的HBM過往僅採用台積電CoWoS先進封裝，如今也加入英特爾陣營，引發高度關注。
SK海力士成為繼蘋果、聯發科等大廠之後，又一台積電「大咖客戶」採用英特爾先進封裝技術，業界分析，主因台積電CoWoS產能塞爆的訂單外溢效應。
不過，SK海力士在AI用記憶體領域雄霸一方，是當下科技業最紅的廠商代表，如今加入英特爾先進封裝陣營，讓英特爾勢力更壯大，業界高度關注日後與台積電之間的訂單競逐態勢。尤其英特爾現階段晶圓代工尚未拿下指標性外部客戶案件，隨著先進封裝業務逐漸有斬獲，後續有利藉此拓展更多其他面向合作機會。
綜合外媒報導，SK海力士在2026 Hot Chips會議中揭露其2.5D先進封裝方案，提到台積電的CoWoS-L、CoWoS-R與CoWoS-S之外，也提到英特爾的EMIB封裝方案。同時，該公司後續也放眼3D整合技術。
SK海力士並於會中揭露下一世代HBM技術藍圖，除了HBM4將I／O數量由1024組倍增至2048組之外，後續更將朝增加矽穿孔（TSV）、混合鍵合（Hybrid Bonding）以及2.5D轉向3D整合發展。
外電指出，SK海力士封裝工程副總裁Jaesik Lee也在會中闡述該公司未來將如何利用先進封裝技術來加速其HBM發展藍圖落實。
SK海力士認為，HBM技術對更高功率密度、頻寬與堆疊高度的持續追求，在更厚的介電層、更密集的TSV等驅動下，帶來了顯著的熱學、機械與封裝挑戰。
業界人士分析，英特爾先前在介紹其EMIB 2.5D方案時，曾提到EMIB-T版本加入TSV技術，以強化垂直供電，並支援從其他封裝技術轉換設計，正好符合SK海力士釋出HBM4朝I／O數量倍增、增加TSV等技術發展的方向，應該是讓SK海力士採用英特爾EMIB先進封裝的原因之一。
另外，英特爾EMIB 2.5D方案是透過嵌入使用面積非常小的矽橋搭配多層布線，來取代其他方案使用的大面積矽中介層，並支援HBM整合，標榜最適合當前的AI應用，可提供高頻寬、低延遲的die-to-die連接，更彈性的小晶片配置，以及較低成本與製造複雜度。
英特爾EMIB-T先前已至少贏得聯發科特殊應用IC（ASIC）指標性案件。如今英特爾再被SK海力士主動披露成為其HBM的2.5D先進封裝選擇之一，對日後全球先進封裝市場發展極具意義。
精華 FAQ
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Q1：SK海力士為何改採英特爾EMIB先進封裝？
業界認為主因是台積電CoWoS產能塞爆，部分訂單外溢到其他供應商；而英特爾EMIB-T又能支援TSV與垂直供電，較符合SK海力士HBM4升級方向。
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Q2：SK海力士在會中揭露了哪些HBM技術藍圖？
SK海力士表示，HBM4將把I/O數量由1024組倍增至2048組，後續還會朝增加TSV、混合鍵合與2.5D轉向3D整合發展，以提升頻寬與堆疊能力。
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Q3：英特爾EMIB封裝對市場競爭有何意義？
SK海力士加入英特爾封裝陣營，代表英特爾先進封裝再獲重要客戶，並可能帶動更多合作機會；同時也加劇其與台積電在先進封裝領域的訂單競逐。
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