韩联社西拉斐特8月27日电 韩国存储巨头SK海力士27日在美国印第安纳州西拉斐特举行下一代高带宽内存（HBM）先进封装厂动工仪式。由此，作为人工智能（AI）产业核心之一的HBM，将由韩国企业率先在美国实现生产。
这是SK海力士在美国兴建的首座生产基地，目标为在2028年10月建成洁净车间，次年下半年投入量产。这将是首个在美国境内实现量产的HBM工厂，英伟达等当地科技巨头届时将采用SK海力士在美制造的HBM产品。
SK海力士代表理事（社长）郭鲁正在动工仪式上表示，印第安纳工厂的HBM年产量将达到数十万片。印第安纳项目旨在建立美国境内首个HBM生产基地，它不仅是“美国制造HBM”的首个供应核心据点，也将成为强化美国半导体供应链、为经济与安全作出贡献的重要基础。
资料图片：位于美国印第安纳州西拉斐特的SK海力士临时办公室 韩联社
SK海力士为印第安纳州先进封装厂建设投入约40亿美元，美国政府依据《芯片与科学法案》提供最高4.5亿美元补助和5亿美元贷款。该工厂将同步承担HBM先进封装（后道工序）和下一代HBM研发（R&D）工作。
目前，SK海力士生产的最新HBM为第六代12层HBM4，英伟达AI超级芯片平台“Vera Rubin”也搭载该产品。鉴于英伟达将持续升级该平台性能，SK海力士印第安纳州工厂很可能生产下一代HBM，而非第六代HBM4内存。目前，SK海力士正在研发第七代HBM4E内存。
为了下一代HBM研发和测试，SK海力士已与美国普渡大学签署了关于加强R&D合作的谅解备忘录。印第安纳工厂坐落于西拉斐特的普渡大学所持地皮，若正式投运，预计工作人员规模将达1000人左右。
当天，郭鲁正、韩国驻美大使康京和、印第安纳州州长迈克·布劳恩、印第安纳州联邦参议员托德·扬等人士出席动工仪式。（完）
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