单晶金属原子级制造方面取得新进展

在器件微缩逼近物理极限的进程中，金属电极单晶性日益凸显——晶界散射、原子失配及电势不均等微观效应正成为性能瓶颈。制备与半导体单晶结构相匹配的单晶金属，已成为突破接触限制的关键。

图1. 机制：Step-Eva技术单晶金属生长机制，单晶Bi例证

图2.普适性：多种单晶金属生长、功函数及N型、P型器件性能

红外科学与技术全国重点实验室褚君浩院士团队，联合复旦大学、湖南大学、新加坡国立大学等，在二维半导体表面直接制备出高质量单晶金属电极，有效解决了制约器件性能提升的界面接触难题，为未来电子与光电集成系统走向极致微缩、高密度集成和原子级制造奠定了材料基础。相关成果于8月27日发表于《科学》（Science）。