中国记忆体大厂长鑫存储被控窃取三星DRAM核心技术，1名从三星电子跳槽协助创办长鑫存储的工程师日前在法庭上作证时坦承，长鑫创立初期就锁定三星制程资讯，窃取三星核心制程资料。韩国专家示警，遭拿走的不只是涵盖约600道制程顺序、设备及条件的核心资料，更包括三星耗费约5年、投入1.6兆韩元才累积的宝贵试错经验。
长鑫存储近年快速崛起，三星电子DRAM技术外泄案也持续在韩引发讨论。曾任职三星电子并跳槽协助创办长鑫存储的全姓工程师，日前于首尔中央地方法院出庭作证时坦承，长鑫存储高层 2016 年创立起便无意自研，而是窃取三星核心制程资料。涉案外泄的技术为三星 18 奈米级 DRAM 制程，详细记录生产过程 600 道制程步骤及关键设备条件。
对此，韩国法律专家示警，长鑫取得的不只是三星投入钜资研发的技术，更可能省下竞争对手最难复制、也最无法用金钱衡量的“试错时间”。
韩媒《Edaily》刊登律师事务所顾问、首尔大学教授孙承宇（音译）的评论指出，长鑫成立于2016年，短短10年间便跃升全球DRAM市场重要竞争者，其快速成长背后，也包括从外部取得领先企业长年累积的技术、人才与时间。根据韩国检方调查及法庭证词，长鑫成立不久后，于2016年延揽三星电子核心研究人员，并取得三星18奈米级DRAM制程综合流程文件（PRP）。这份文件宛如半导体“制造配方”，涵盖约600道制程的先后顺序、设备及制程条件等关键资讯。
涉案研究人员被指在离职前，将核心资料抄写在12页笔记中带走，长鑫取得相关资讯后，再依照自身生产环境进行修改及验证，并于2019年成功量产DRAM。涉案三星前员工今年4月一审遭判处7年徒刑。
孙承宇指出，三星为开发相关技术投入约1.6兆韩元，研发时间长达约5年，但技术外泄真正造成的损失，不能只用研发经费计算。
半导体制程必须经历反复实验、失败、改善良率及调整设备条件，才能逐步成熟。虽然不能直接断言长鑫取得三星技术后，就等于完整省下5年研发时间，但从一开始就掌握经过验证的600多道制程条件，与完全从零摸索有巨大差别。
他形容，真正被带走的是“无法用金钱衡量的试错时间”。若一家缺乏相关技术与研发基础的半导体企业从零开始，所需时间甚至可能比三星当初投入的5年更久。
因此，孙承宇也质疑，面对如此庞大的技术外泄损害，7年徒刑是否足以形成吓阻效果。他主张，未来量刑除了研发成本，也应将外泄技术的经济价值、竞争对手因此节省的研发时间与成本、受害企业损失的市占率，以及犯罪者取得的利益纳入考量。
他并警告，一旦外泄技术真正进入海外生产线，即使数年后对涉案者判处重刑，也很难挽回损失，因此韩国有必要建立制度，在技术成为竞争对手产品前就禁止使用，避免过去显示器产业遭竞争者追赶甚至逆转的情况，再度于半导体产业上演。
中国记忆体大厂长鑫存储被控窃取三星DRAM核心技术。示意图。（路透）
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