全球晶圓製造龍頭台積電與曝光機大廠艾司摩爾（ASML）今（8）日宣布發起合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩，High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，計劃於2031年前建立試產線，2033年導入先進製程量產。 台積電與ASML表示，從6吋光罩轉移至12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。此轉移能讓先進晶片製造服務提供者，充分利用High NA EUV的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。 曝光機大廠艾司摩爾（ASML）與台積電共同合作。（資料照，柯承惠攝） 攜手共推12吋光罩 魏哲家、ASML總裁怎麼說？ ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，「我們預期，隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。我們很高興這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。」 台積電董事長暨總裁魏哲家也指出，「台積公司深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，我們期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。」 台積電董事長魏哲家表示，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。（資料照，柯承惠攝） 台積電導入High NA EUV 12吋光罩何時量產？ 台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積電預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。 台積電與ASML在7日出席於加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會，會前宣布發起產業合作，以共同推動轉移升級至12吋光罩，並計劃於2031年之前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎。 眾多關鍵生態系統夥伴與供應商均出席此活動，並表達對該轉移的參與意願，突顯出產業對此的廣泛支持。 更多風傳媒獨家內幕： ‧ 台積電、日月光等30家巨頭共組「矽光子聯盟」！經濟部：供應鏈完全掌握在台灣手上 ‧ 台積電、索尼合資砸1500億創新公司！專注研發「這產品」 日本政府高機率金援 ‧ 台積電不再獨家通吃訂單？韓媒爆：SK海力士正找「它」代工部分記憶體晶粒
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