位于英特尔工厂25的ASML EXE 5000高NA EUV设备 [照片=英特尔韩国]
英特尔代工与ASML近日宣布了下一代光刻技术“高NA（数值孔径）极紫外光（EUV）”工艺的量产应用成果及未来技术路线图。
据业界消息，英特尔代工在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的“SPIE光掩模技术+下一代极紫外光工艺”会议上分享了合作现状。
特别是引入高NA的英特尔18A工艺生产的产品，其性能与基于0.33 NA规格的NXE平台产品相当或更优。
在客户支持体系方面，英特尔代工在保持现有6英寸掩模规格的同时，提供了“分层布局”计划、“拼接”技术和工艺设计工具解决方案，以充分利用高NA的优势。
双方在过去三年中主导了掩模生态系统整合的“大型掩模格式倡议”，并在短期内支持基于6英寸掩模的同时，逐步过渡到6x12英寸的大型掩模格式。
克里斯托夫·普克 ASML首席执行官表示：“英特尔代工在高NA的引入中发挥了核心领导作用，值得赞赏的是他们在标准化和掩模创新方面的努力。”
纳加·钱德拉塞卡兰 英特尔代工联合总经理也表示：“将继续与ASML及整个行业生态系统合作，推动高NA极紫外光扩展所需的基础设施发展。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
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