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圖解》AI吃電,連送電方式都要改!瑞薩800伏直降6伏,搶攻電源商機|一圖看懂半導體

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2026年10月,瑞薩電子在美國聖荷西的OCP Global Summit開放運算計畫全球高峰會,展出AI資料中心用電源試作設備。瑞薩也向《EE Times Japan》透露,將800伏直流電直接降至6伏、輸出功率達20千瓦的開發平台,已提供樣品給主要AI資料中心設備製造商。 電源設備的工作,是把送進來的電轉成機器能用的電壓。AI晶片愈來愈耗電,供電線路、轉換器與散熱設備也跟著承受壓力。輝達正在推動800伏直流供電架構,瑞薩這次開發的,是電到達晶片之前的降壓環節。 AI太耗電,為什麼先升壓、再降壓? 風傳媒STORM MEDIA GROUP一圖看懂半導體 送電時提高電壓,可減少線路發熱;到了晶片附近,再降到它能使用的電壓。瑞薩想把中間的轉換步驟變少。 高壓送電,減少沿途損耗 同樣功率,相同線路電阻 48伏送電 電流較大,線路發熱較多 800伏送電 電流較小,線路發熱較少 同樣功率下,電壓越高,所需電流越小。同一條線路通過較小電流,產生的熱就較少。 靠近晶片,減少降壓步驟 多段式示例 瑞薩開發中 800伏 800伏 ↓ 降壓 48伏 ↓ 降壓 直接降壓▼ 12伏 6伏 ↓ 末端降壓 ↓ 末端降壓 AI晶片 AI晶片 分段可沿用成熟設計;直接降壓要克服更大的電壓差與散熱難題。瑞薩拚少一道轉換,6伏之後仍須末端降壓。 高壓用來送電,低壓供晶片。新設計要省下中間的轉換損耗。 資料:EE Times Japan、瑞薩白皮書、NVIDIA|圖解:風傳媒 用較高電壓送電,可減少線路發熱 電通過有電阻的導線時,部分電能會變成熱。供應相同功率時,提高電壓就能降低電流;在線路電阻相同的情況下,電流減少,發熱損耗也會降低。這解釋了為何晶片用電需求增加,業者會考慮提高配電電壓。 以單純算式示意,輸送4,800瓦功率,使用48伏需要100安培電流,改用800伏只需6安培。這是功率等於電壓乘以電流的計算,未計入轉換器損耗,也不代表瑞薩設備的實測。高電壓的用途,是讓同樣一份電力能以較小電流送過線路。 輝達在800伏架構技術說明中指出,低電壓配電面對更高機櫃功率時,會增加銅導體與電源設備的空間需求。提高配電電壓,有助降低電流與導體負擔,為機櫃保留更多運算設備空間。 800伏直接降到6伏,晶片前少一道轉換 GPU是負責大量平行運算的處理器,工作電壓遠低於800伏。電送到附近後,仍得降壓。瑞薩白皮書列舉的多段式路徑,會先降至48伏,再到12伏,最後降到晶片需要的電壓;新方案直接轉成6伏,再完成末端降壓。 原本分段降壓,可以沿用成熟的48伏、12伏電源零件與設計,也方便搭配不同設備。直接從800伏降到6伏,轉換器得處理更大的電壓差,還要兼顧低壓端的大電流與散熱。瑞薩將四組5千瓦電路組成20千瓦平台,靠多組電路共同完成這項轉換。 轉換器本身也會耗電與發熱,減少一道轉換,就能少一處損耗來源。但降壓後電流會增大,因此轉換器與晶片之間的低壓線路也要盡量縮短,避免電流在較長路徑上產生更多熱。這個設計同時處理轉換次數與供電距離。 瑞薩白皮書估算,這一級轉換器在20千瓦輸出時,效率約96.3%,數字來自零件損耗模型。它描述輸入電力有多少轉成輸出,並非整座資料中心的節電比例;實機最佳化結果仍待公布。 電源零件與散熱設計,一起進入AI供應鏈 瑞薩也把零件散熱納入設計。公司9月30日公布的新型氮化鎵(GaN)功率元件,可從上下兩面散熱。這類元件負責在電力轉換時快速切換電流,改善散熱有助在有限電路板空間內處理更多功率。 德州儀器已在今年3月公布同樣採800伏降至6伏、再供應晶片的架構。輝達列出的800伏合作業者,也包括台灣的台達電、光寶。供電設計改變,牽動的產品包括電源半導體、轉換模組與機櫃供電設備,台灣電源業者已在這個生態系中。 瑞薩目前正與設備製造商進行平台驗證,還要確認散熱、保護功能及長期可靠性。公司未公布這套評估平台的一般提供時間,已確認的商業進度是送樣,未公布量產客戶名稱及訂單金額。 Navitas與德州儀器也在開發800伏直接降至6伏的技術。TI主管今年5月在日本說明會表示,其800伏系統當時仍處於原型階段,預期2027年前後開始被採用。

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