路透：長鑫將生產HBM3E 良率僅20%仍硬撐 凸顯中國AI記憶體短缺
編譯葉亭均／綜合外電 2026-10-28 03:33 ET 聽新聞 test 0:00 /0:00 Your browser does not support HTML5 Audio! 😢 路透報導，長鑫存儲計劃開始生產HBM3E，儘管良率可能低達20%。(路透)AI摘要
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路透指出，長鑫儲存即使HBM3E良率僅20%至30%仍將量產，反映中國在美國管制下急缺AI記憶體，國產替代壓力沉重。
路透引述兩名知情人士說法報導，中國記憶體製造商長鑫存儲計劃開始生產先進高頻寬記憶體HBM3E，儘管良率可能低達20%。
此一決定凸顯中國面臨AI記憶體嚴重短缺的困境。在美國限制取得外國技術之際，這類晶片是中國推動大規模開發輝達（NVIDIA）AI處理器國產替代品的重要關鍵，而相關計畫也獲得中國政府支持。
知情人士表示，中國最大DRAM製造商長鑫已向幾家本土AI晶片設計業者提供HBM3E樣品，預期未來兩個月內開始小規模生產；在良率方面，目前僅約20%至30%，遠低於市場龍頭南韓SK海力士約70%的良率。
長鑫未回應置評請求，SK海力士則未立即回應有關良率估算的置評請求。
在2024年12月，美國緊縮部分先進HBM產品出口至中國的管制。知情人士說，中國晶片製造商愈來愈常透過非正式管道取得這類記憶體，但價格可能高出正常水準數倍。
知情人士指出，儘管良率偏低，長鑫仍持續推動HBM的生產計畫，原因在於中國AI晶片製造商一直難以取得足夠的先進記憶體，無法進一步擴大產量。
路透上月報導，華為、寒武紀、沐曦及天數智芯，已將現有與下一代AI晶片的價格調漲20%至 50%，反映記憶體成本上升，使得擴產面臨更複雜因素。
其中一名知情人士表示，長鑫的HBM3E預期將比海外競爭同業的同類產品更貴。知情人士另指出，長鑫最早在2024年就已開始在內部研發這項技術。
落後競爭同業數個世代
其中一名知情人士表示，在測試中，長鑫HBM3E的效能更接近SK海力士上一代的HBM3，而非後者現有的HBM3E。
另一名知情人士表示，長鑫已向客戶提供兩種版本的HBM3E：一種是標準設計，另一種則是經過更新、加入旨在提高良率的改良設計。
目前，SK海力士、三星電子及美光主導全球HBM供應，根據研調機構Counterpoint，這三家業者在全球HBM營收的占比分別為50%、33%與18%。
長鑫在第2季占全球DRAM營收的10%，是全球第四大傳統記憶體供應商。然而，美國出口管制限制長鑫取得一些最先進的晶片製造設備，因此更難縮小與全球競爭同業的差距。
三星今年7月表示，已擴大HBM4 銷售，並向主要客戶交付 HBM4E 樣品。這意味著，在商業化 HBM生產方面，長鑫至少落後一個世代。
精華 FAQ
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Q1：長鑫為何在良率偏低下仍決定生產HBM3E？
因中國AI晶片廠難以取得足夠先進記憶體，擴產受阻，長鑫即使良率僅約20%至30%，仍被迫推進HBM3E，以支撐國產AI晶片供應鏈。
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Q2：這次報導如何顯示中國AI記憶體供應的困境？
美國限制先進HBM出口後，中國業者只能靠非正式管道高價取得記憶體，且華為、寒武紀等還調漲AI晶片售價，顯示成本與供應壓力同步升高。
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Q3：長鑫的HBM3E與國際競爭者相比落後多少？
知情人士稱，長鑫HBM3E效能接近SK海力士上一代HBM3，且在商業化HBM生產上至少比三星、SK海力士與美光落後1個世代以上。
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