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英特尔推出首款65nm工艺手机用1Gb闪存

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著名CPU芯片生产商Intel日前在韩国的IDF上宣布将出货其首款65nm Nor flash Multi-Level Cell(MLC)产品,其中包含多媒体手机专用的65nm 1Gb闪存。

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新式的65nm NOR MLC部件读取速率可达133 MHz,写入速率为1.0MB/s,相对于之前的产品速率提升将近一倍,1.8v电压供电以及节电模式可以延长电池使用时间。

依照发布会新闻稿,65nm芯片与Intel的90nm StrataFlash Cellular Memory(M18)结构体系相兼容,方便OEMs进行转换。

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