英国研究人员最近报告说，他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备，与现在广泛使用的闪存相比，耗电量更低，而存取速度要快上一百倍。
电阻性记忆体的基础是忆阻材料，这种材料的特殊性在于，在外加电压时其电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能，是业界近来的研发热点。但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。
英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说，他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料，相应存储设备可在常规环境下运行，因此应用价值大大提高。
研究人员安东尼・凯尼恩说，这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一，而其存取速度是闪存的一百倍以上。闪存现在已成为人们随身携带的U盘、数码相机、手机等设备中广泛使用的存储设备。
据介绍，这项成果与科学史上许多发现一样都是源于意外。研究人员最开始是在用硅氧化物制作发光二极管，但在实验过程中出了故障，发现所用材料的电学性质变得不稳定了，检查之后发现它们电阻在变化，原因是已经变成了忆阻材料，于是正好把它们转用于研发新型存储设备。
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新型光子存储器或可打破网速瓶颈
在互联网内行进的数据会在用于传输的光信号线和用于处理的电信号之间来回转换，因此，容易拥堵网络，成为制约网络速度的一个瓶颈。现在，日本科学家研制出了能耗更少、数据保存时间更长的新型光子存储设备，让信息不仅以光信号的形式传播，还能以光信号的形式存储和处理，有望让互联网变得更快速高效。研究发表在《自然・光子学》杂志上。
日本电报电话公司（NTT）的科学家多年来一直在研究这样的设备，但以前研制出的设备耗能太多且不能让数据保存很长时间。而新存储单元的能耗仅为30纳瓦，是以前设备的三百分之一；且能让数据保存1微秒，是以前250纳秒的4倍。该研究的主要作者、NTT光子纳米结构研究团队负责人纳富政弥（音译）表示，1微秒已足以对数据进行处理。
为了制造出这些光子存储器，科学家们以一块薄磷化铟平板开始其研究。在该平板中央，他们埋进了另一种光子材料―磷化铟镓砷的一段作为存储单元，这段磷化铟镓砷约4微米长、300纳米宽。科学家们在磷化铟上蚀刻了一些纳米小洞，制造出了一个结构，其仅能传输某些波长的光；通过该存储单元中间的一条通路则没有被蚀刻，以引导光进出。当特定波长的光照射在该存储单元上时，磷化铟镓砷的折射率会发生变化，使其仅能传输一种光脉冲。他们使用激光器从光子存储设备上阅读信息或将信息写到光子存储设备上，并使用另一个激光器提供稳定的背景光以帮助存储单元维持其状态。
接下来，他们将四个这样的存储单元整合在了同一块芯片上。纳富政弥表示，将一百万个这样的存储单元结合在一起制造出的设备能耗仅为30毫瓦，比闪存150毫瓦左右的平均能耗还低很多。他和同事正尝试添加激光器和光探测器以将更多读和写光子存储单元添加到同一块芯片上。
纳富政弥表示：“我们的第一个目标是用这些存储单元制造出网络路由器或服务器中的存储器；接着，我们希望取代高速计算机内的随机存取存储器。”
加州大学伯克利分校电子工程与计算机科学系纳米光电导体技术中心的主任常瑞华（音译）教授对NTT研发出的设备表示兴奋。她说：“互联网数据堵塞呈逐年上升的势头，用光子存储单元进行一些数据路由工作势在必行。”
总编辑圈点
尽管半导体制造一直遵循着摩尔定律，在性能上不断提升，但由于其材料电子性能的限制，这种提升空间已经接近极限。信息工业的发展，到了必须依靠质的突破来确保量的提升时刻，否则云计算、物联网等都将是没有效率和资源保障的空中楼阁。量子计算、光子传输和存储都被看作发展方向，寻找新材料和新理论成为了突破口，当前这些研究和突破看似琐碎和渺小，却是支撑战略性新兴信息产业的基础。
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