华邦电子提前启动高雄路竹厂Module B扩产计划，预计2027年动工、2029年装机，客户产能洽谈已排至2029年至2030年。AI驱动的存储需求被机构认为将“延续相当长时间”。此外，华邦电子已投入约40亿元布局矽电容产线，最快2027年量产，被视为逻辑与存储之外的第三成长动能。
AI拉动存储需求持续扩张，华邦电子不得不提前布局——客户已在抢订三年后的产能。
全球利基型存储IDM龙头企业华邦电子宣布提前启动中国台湾高雄路竹厂扩产规划，将原定分期推进的二、三期工程整并为Module B工厂同步开发。据台湾工商时报报道，该厂预计2027年动工兴建无尘室，最快2029年初开始装机。
机构人士指出，代理式AI（Agentic AI）正在推动存储容量与先进封装需求持续增加，“相关成长趋势预期将延续相当长时间”，这正是华邦电子决定提前启动Module B计划的直接原因。目前已有客户提前洽谈2029年、2030年的产能配额。
当季业绩：量价齐升，毛利率创高
华邦电子第二季合并营收598.43亿元新台币，季增56.4%，年增184.7%。
涨价是核心驱动力：DRAM价格单季上涨约100%，Flash上涨约43%。毛利率随之升至66.2%，每股税后纯益（EPS）达5.40元。
进入第三季，涨势仍在延续。中国台湾工商时报援引机构人士预计，利基型DRAM与SLC NAND均呈供不应求，价格季涨幅约50%；NOR Flash受云端服务供应商（CSP）大客户积极备货拉动，价格季涨幅约30%。
第四季涨幅预计收窄至2%至5%，但机构人士认为，受益于DRAM产能增加及出货量成长，华邦电子营收与获利仍可维持季增走势。
Module B：产品线全面对准AI
华邦电子高雄厂Module B的产品规划覆盖Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽电容（Si-Cap），并将支持14纳米及未来12纳米DRAM制程，后续亦规划导入EUV设备。
这一布局的逻辑清晰：AI推动存储向更高密度、更先进封装演进，华邦电子需要提前锁定制程与产能，才能在客户需求兑现时不落后于市场。
设备导入将依客户需求预测（Forecast）及长期协议（LTA）分阶段推进，而非一次性满产，以控制资本支出节奏。 Si-Cap：第三条成长曲线
矽电容（Si-Cap）是此次布局中值得单独关注的一块。
机构人士将其视为华邦电子在逻辑（Logic）与存储（Memory）之外的“第三股潜在成长动能”。华邦电子已投入约40亿元新台币建置专用Si-Cap产线。
目前量产产品的电容密度约为3,300 nF/mm²，最新样品已达约5,400 nF/mm²，主要面向AI先进封装及AI电源管理应用。报道预计，最快2027年第一季底步入量产。
Si-Cap的逻辑在于：AI芯片对电源稳定性要求极高，矽电容可在封装层面提供更高密度的电源去耦，是先进封装不可或缺的配套器件。华邦电子提前布局，意在卡位这一新兴需求。
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