政策補貼、內需加持迎來爆發期 DRAM業加速洗牌 長鑫拚追上美光
記者陳湘瑾／綜合報導 2026-08-20 02:05 ET 聽新聞 test 0:00 /0:00 Your browser does not support HTML5 Audio! 😢 外界關注長鑫科技透能否超越美光，擠進全球前三大記憶體廠商。（路透）中國DRAM一哥長鑫科技已完成上交所科創板上市，在三星、SK海力士和美光這三大巨頭激烈廝殺的同時，長鑫科技透過政策補貼與內需市場迎來爆發期，能否一舉超越美光，擠進全球前三大記憶體廠商之列，成為外界關注焦點。
研調機構Counterpoint Research報告顯示，全球DRAM市場格局正加速洗牌。今年第2季，三星電子市占攀升至39%，重回2024年以來高點；SK海力士市占下滑至26%，美光市占22%，長鑫科技市占則快速成長至近8%，為全球記憶體產業帶來新變數。
Counterpoint Research指出，如果長鑫存儲（長鑫科技全資子公司）能進一步提升產能與技術能力，除滿足中國市場需求，也逐步打入個人電腦及國際一線客戶供應鏈，其全球市占率一年後可能呈現截然不同樣貌。
實際上，長鑫科技已制定中長期產能躍升完整規劃，透過合肥、北京、上海三大生產基地同時擴產，目標在2028年實現月產能50萬片（2026年總產能約35萬片12吋晶圓），全球DRAM市占有望提升至17%，實現翻倍以上增長。
分析師認為，長鑫存儲目前產品仍以消費性及標準型DRAM為主，與美光主攻的HBM3E及HBM4等高階AI記憶體並不完全重疊。長鑫與美光在DRAM領域的差距，呈現「產能與毛利快速逼近，但高階技術與HBM仍落後約三年（兩個世代）」的兩極化局面，長鑫在AI記憶體戰場上目前毫無威脅美光的能力。
然而，長鑫也開始將目標轉向人工智慧伺服器不可或缺的HBM。研究機構SemiAnalysis預估，長鑫存儲占全球HBM晶圓供應的比重，可能由2025年的1%升至2028年的12%。
美光也正在進行創紀錄的全球擴產計畫，不僅將2026全年資本支出提高至約270億美元，並預計在2027年進一步拉高至400億美元，建廠與擴產版圖一路排到2030年以後。
三星、SK海力士、美光將大量產能轉向HBM，通用DRAM市場出現供給缺口，長鑫可依託中國國產替代的供應鏈優勢，快速搶占這部分市場，持續提升市占率和技術積累速度。整體而言，長鑫在通用DRAM領域已進入第一梯隊，但若要在綜合營收、高端技術實力上全面追上美光，仍需完成HBM等高端產品技術突破和全球高端市場長期布局。
不過，TrendForece此前表示，美國「實體清單」的相關限制，仍持續阻礙長鑫先進製程發展。長鑫正擴大面向中國本土客戶的伺服器DRAM供應，並興建新的晶圓廠，但外國設備取得限制，仍為其高階產品發展蒙上陰影。
精華 FAQ
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Q1：長鑫科技目前在全球DRAM市場的市占與成長態勢如何？
Counterpoint Research指出，長鑫科技第2季市占已接近8%，成長速度明顯；三星回升至39%，SK海力士26%，美光22%，顯示全球DRAM格局正快速重組。
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Q2：長鑫科技未來的產能擴張目標與市占預估是多少？
長鑫規劃以合肥、北京、上海三大基地同步擴產，目標2028年月產能達50萬片，2026年總產能約35萬片12吋晶圓，全球DRAM市占有望升至17%。
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Q3：長鑫科技要追上美光，最大的挑戰是什麼？
長鑫目前主攻消費性與標準型DRAM，與美光的HBM3E、HBM4高階AI記憶體並不重疊，且先進製程受美國實體清單與設備取得限制，技術差距仍約3年。
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