SK海力士砸40亿美元 美国新厂2029年量产AI晶片

（西拉菲叶特28日讯）韩国晶片大厂SK海力士（SK Hynix）今天表示，2029年第三季将在美国新厂量产次世代HBM4E晶片，同时预期目前记忆体晶片短缺的情况，将持续到2030年底。

SK海力士在美国印第安纳州西拉菲叶特（West Lafayette）投入逾40亿美元（约161亿令吉）建厂，未来此一位于普渡研究园区（Purdue Research Park）的厂区，将成为美国重要的高频宽记忆体（HBM）生产基地。

SK海力士首席执行员郭鲁正预期新厂区2028年下半年将开始无尘室作业，最终每年能处理数十万片晶圆。

此一新厂区代表SK海力士在美国业务的重大扩展，原因是人工智能（AI）投资激增，带动高频宽记忆体需求。这家晶片制造商希望让生产基地更靠近辉达、微软与Alphabet旗下Google等主要客户。

这座厂区将设有次世代HBM封装产线，以及一座AI半导体研发设施。郭鲁正表示，SK海力士的目标是在美国打造先进记忆体供应链。

SK海力士主要客户辉达，预测下一财政年营收将增加70%，凸显AI运算需求不减，也让投资人对AI支出热潮持续安心。郭鲁正的谈话显示，SK海力士认为记忆体景气循环，短期内几乎没有反转迹象。

SK海力士预期新厂区与相关供应链投资，将在当地创造约7000个直接、间接就业机会，有助于强化半导体供应链韧性。