美媒：长鑫存储在先进存储晶片领域取得突破
美国媒体报道，中国存储晶片制造商长鑫存储已开始小规模生产先进高带宽存储器HBM3E。 （路透社档案照片）美国媒体报道，中国存储晶片制造商长鑫存储已开始小规模生产先进高带宽存储器HBM3E。
据路透社报道，美国科技媒体The Information星期一（8月31日）引述两名知情人士称，HBM3E主要用于人工智能（AI）晶片组，长鑫存储计划于2027年扩大产量。
报道称，阿里巴巴旗下平头哥、总部位于北京的寒武纪等多家中国晶片设计公司，正在测试将长鑫存储的HBM3E与自家处理器搭配使用。如果进展顺利，这些公司最早将于明年在产品中采用这款存储器。
长鑫存储是中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）晶片制造商。DRAM广泛用于智能手机、个人电脑、服务器和AI系统等电子设备，主要承担短期数据存储功能。
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