1月30日国际报道“利用新的金属材料，让晶体管技术面临最大改变。也再次印证了摩尔定律，”英特尔高层表示。
才在65纳米工艺技术领先AMD将近一年，英特尔又加紧脚步在今年下半年推出45纳米产品（代号为Penryn）。 英特尔逻辑技术研发部门45纳米计划经理Kaized Mistry表示，由于采用了被称为high-k的新材料来制作晶体管闸极电介质（transistor gate dielectric），而晶体管闸极的电极（transistor gate electrode）也将搭配采用新的金属材料组合，令即将问世的Penryn得以大幅降低漏电与提升性能。
“这是自1960年代后期以来，晶体管技术所面临的最大改变，”Mistry表示。在此之前晶体管技术是利用金属氧化半导体（MOS）引进多晶硅（polysilicon）闸极。不过Mistry不愿透露high-k以及新的金属材料组合的内容为何。
Mistry是在上周五（1月27日）对亚太区媒体的电话会议中做上述表示，与会者还包括了英特尔逻辑技术研发部门资深人员Mark Bohr以及英特尔DEG事业群副总裁Steve Smith。
工艺技术一向是芯片厂商持续努力的技术之一。因为更小的工艺意味着芯片本身可以缩得更小，同一片晶圆切割出的芯片更多，制造商可节省成本、提高单位获利；另外，由于之上可以置入更多的晶体管，有助于节省耗电量及增进效能。对致力于开发多核产品的芯片厂商而言尤其重要。
半导体厂商所信奉的摩尔定律即指出：同样大小的硅芯片内的晶体管数，每隔两年就会加倍一次。
历经40余年的轮转，摩尔定律在芯片厂商开发出65纳米工艺产品后遇到瓶颈，因为用来制造切换闸极电介质的硅原料，在更小尺度下会出现漏电情况而无法正常运作，并损及芯片的性能。
“所幸，英特尔研究人员开发出能取代硅的high-k材料，进而使45纳米技术得以问世，”Mistry说。
根据英特尔提供的资料，相较于65纳米产品，45纳米技术使芯片可以装进将近两倍的晶体管；减少30％的耗电量；性能提升至少20%。
“英特尔还相信根据此技术，摩尔定律得以继续衍生，”Bohr说。根据英特尔的规划，2009年将迈入32纳米技术；2011年则是22纳米工艺。
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