国产光子芯片研发实现降本提速

近日，在第七届光电子集成芯片立强大会上，陕西光电子先导院科技有限公司（以下简称光子先导院）首次对外公开西北首条8英寸硅光中试平台量产级核心工艺数据，同步发布LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套工艺设计套件（PDK），正式面向全产业链开放流片服务，并公布部分SOI无源工艺平台核心实测数据。这也是该企业首次系统性向行业共享成熟工艺参数。

光电子先导院发布中试平台量产级核心工艺数据。光电子先导院供图

光电子先导院由中国科学院西安光机所联合陕西省科技厅、西安高新区管委会于2015年发起组建，累计投入超过15亿元，建成集工艺研发、中试流片、中试验证、产学研协同于一体的完整光子产业中试服务体系。2025年，光电子先导院成功入选工信部首批国家级制造业中试平台，是国内首家聚焦光子集成领域的国家级中试载体。

光电子先导院创新构建“1+N”柔性中试平台模式，以6英寸化合物光电芯片、8 英寸硅光芯片两条核心中试产线为主体，配套建设硅透镜、MicroLED等多条特色工艺线，配备200余台（套）核心工艺设备，形成多元化、适配性强的中试赋能能力。其中，6英寸化合物光电芯片产线于2023年顺利通线，已累计服务市场客户80余家，产业化验证成果丰硕；2025年稳定投运的8英寸硅光产线，已完整搭建DUV光刻、刻蚀、离子注入、硅基锗外延、金属化等全工序工艺能力，可全面支撑高速光模块收发芯片的技术迭代、样品验证与小批量量产。

在本次大会技术报告中，光电子先导院工艺整合研发团队公开了多项关键量产工艺指标。其中，自研2×2MMI多模干涉耦合器实现C+L波段全覆盖，器件插入损耗、信号不平衡度均控制在高标准区间；SOI无源工艺平台关键技术指标同步对外开放，为国内硅光设计企业提供标准化、可落地的工艺参考依据。