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輝達Vera Rubin秘密曝光!「這項電力架構」引爆概念股大洗牌?

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直擊NVIDIA 800VDC供電核心 。(圖/先探投資週刊提供) 直擊NVIDIA 800VDC供電核心 。(圖/先探投資週刊提供) 字級設定:

AI機櫃功耗邁向兆瓦,傳統交流降壓帶來的廢熱與空間耗損已成算力瓶頸。Nvidia定調800VDC路線,這場機房底層革命不僅打破能源天花板,更將引爆功率半導體與電氣基建商機,啟動供應鏈大洗牌。

隨著AI晶片功耗急遽攀升,單一算力機櫃的總功耗從40kW快速向120kW發展,甚至即將會突破1MW(兆瓦)。為解決傳統交流電(AC)多重降壓帶來的廢熱以及空間損耗,Nvidia宣布從下一代Vera Rubin架構開始推動800VDC(高壓直流)架構,將成為下一代AI基礎設施電力架構的標準。為了服務現有客戶,Nvidia幫客戶依照實際需求分階段升級AI基礎架構,客戶不需要淘汰舊的AI架構改用新的架構,既能維持客戶對Nvidia AI設施的依賴,還能不斷推陳出新,推升市場對AI基礎架構的需求。

交流電轉換直流電

傳統資料中心使用的415V AC配電架構,當電力從電網進入晶片之前,須至少經歷四到五次的交流/直流(AC/DC)轉換。在超高功耗下,這種架構將面臨轉換損耗與廢熱以及電流過載極限的兩大瓶頸。這分別會產生數十千瓦的廢熱,加重液冷系統負擔以及電流飆升到數千安培、排擠機櫃間和線路損耗等問題。

要解決這些問題,Nvidia推出800VDC解決架構,並把架構安置在機房源頭或側邊電源櫃(Sidecar)進行單次轉換,直接將交流電轉為800V直流電分配到各機櫃,並在伺服器主機板上透過負載點(PoL)模組,直接將高壓降到AI晶片所需得1V以下低壓,消除中間多餘的降壓層級。從商業投資的角度來看,能將成本優化,這包括電力使用效率(PUE)優化,直接將電力轉換損耗降低五~八%,以及提升資料中心算力密度,把800V直流架構省下來的白區空間,可以多部署十五~二○%的算力機櫃,提高單位土地與建築資產的投資報酬率(ROI)。

針對Nvidia AI現有客戶的資本支出升級方案,可採用側邊電源櫃方案,在既有機房不重新拉線下,直接將機房交流段在機櫃旁整流為800VDC灌入算力模組。對Nvidia來說,創造新的電源機櫃增量市場。到二○二七年以後,將走向全直流AI資料中心,結合中壓固態變壓器(SST),直接將電網中壓轉為800VDC,這將會引爆電網等級的設備更換期。

要實現800VDC的極致轉換效率,克服高壓高溫環境,傳統矽基元件已不敷使用,必須要仰賴碳化矽(SiC)負責高壓端,把800V直流電降壓到48V,提供機櫃內部到伺服器主機板場域的用電;還有氮化鎵(GaN)負責中低壓高頻端的運作,將電壓從48V降到0.8V的超低壓直流,提供主機板到GPU場域的電力需求。

八吋碳化矽廠主導發展

歐美日等的IDM大廠幾乎壟斷全球高階碳化矽產能,憑藉八吋廠的規模經濟和垂直整合能力,主導市場地位的發展。Wolfspeed是全球最大純碳化矽材料與元件龍頭,在碳化矽基板磊晶市場長年有將近五成的市佔率。該公司專注於提供高壓碳化矽MOSFET,滿足資料中心固態變壓器與高壓直流整流需求。Wolfspeed有全球規模最大的八吋碳化矽晶圓廠,也擴充在美國Siler City超級材料工廠,基板產能是全球最大的碳化矽上游材料工廠。(全文未完)

《先探投資週刊2419期》 《先探投資週刊2419期》

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