晶圆代工大厂联电昨日宣布自主研发的14奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术，已成功进入客户芯片量产。此举也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28奈米量产，抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。
联电表示，出货给主要客户的14奈米量产晶圆，良率已达先进制程的业界竞争水准，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。
执行长颜博文表示，14奈米正式量产里程，是联电与客户携手努力的成果，这象征推进更先进制程。
颜博文强调，14奈米FinFET制程效能竞争力已达业界标准，速度比28奈米增快55%，闸密度达两倍，而且芯片功耗也较28奈米减少约50%。
因联电28奈米制程良率相当稳定，也是目前市场中阶手机芯片和高阶网通芯片需求最迫切的制程，预料联电将会把重心集中冲刺联芯将制程推升至28奈米，挟大陆制造，挤下强敌中芯，在28奈米拉升市占，让联电抢食大陆快速崛起的芯片大饼，打通任督二脉。
联电目前与和舰共持有联芯50%股权，联芯去年11月开幕，导入联电的55奈米及40奈米制程技术生产。
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