高盛最新报告将2026至2028年全球晶圆厂设备支出预测大幅上调至1500亿、2180亿及2810亿美元，增速预期远超此前判断。台积电N2制程扩产、三星SK Hynix押注HBM4、SpaceX与特斯拉Terafab项目168亿美元承诺，多重引擎共振，半导体资本开支景气周期有望一路延续至2028年。
高盛大幅上调未来三年全球晶圆厂设备（WFE）支出预测，将2026至2028年市场规模预期分别提升至1500亿、2180亿及2810亿美元，上调幅度显著超出此前预期，折射出半导体资本开支周期正加速向上突破。
据追风交易台，高盛在2026年8月23日发布的研究报告中指出，第二季度财报季披露的半导体资本开支数据普遍超预期，叠加设备供应商给出更为乐观的前景展望，共同驱动此轮预测大幅修正。其中2026年WFE同比增速预期从此前的32%上调至36%，2027年从32%跳升至45%，2028年则从12%大幅提升至29%。
高盛维持对半导体设备板块的整体看多立场，此次预测上调对设备板块投资者具有直接指引意义，更高的资本开支预期意味着设备厂商订单能见度持续改善，行业景气周期有望延续至2028年。
代工：台积电扩产带动先进制程设备需求跃升
报告将2026至2028年代工领域WFE预测分别上调至580亿、840亿及1090亿美元，对应同比增速分别为45%、45%及30%，均较此前预测的30%、30%及16%大幅提升。
驱动力主要来自台积电。在本次更新中将台积电2026至2028年每年资本开支预测各上调80亿美元，理由是N2制程的设备投入强度高于预期，且客户需求持续旺盛。报告指出，随着N2制程在未来数个季度进入量产爬坡阶段，代工领域WFE动能将持续强劲，先进逻辑制程是核心驱动来源。
DRAM：HBM4迁移与产能扩张推动支出持续攀升
DRAM领域的上调幅度同样突出。报告将2026至2028年DRAM WFE预测分别上调至480亿、720亿及970亿美元，同比增速分别为50%、50%及35%，较此前预测的45%、45%及10%均有提升，其中2028年增速预期提升幅度最为显著。
分析师Giuni Lee将三星电子2026至2028年平均DRAM资本开支预测上调22%，SK Hynix上调19%。尽管行业整体支出大幅增加，但DRAM供给将持续偏紧，产能约束状态预计延续至2028年。节点制程迁移及向HBM4升级是支撑这一判断的核心逻辑。
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