铠侠与闪迪未来6年将投资5万亿日元增产存储器

　　铠侠8月27日宣布，将在日本岩手县建设新的半导体存储器厂房，目标是在2029财年实现量产。加上三重县的工厂，未来6年两地合计将投资5万亿日元。由于面向人工智能（AI）的高速处理存储器订单激增，该公司正加快扩产。
  　　
　　8月27日下午，铠侠的社长太田裕雄与合作伙伴、美国闪迪公司的首席执行官（CEO）戴维·盖克勒一同前往日本首相官邸。太田社长表示：“截至目前已经投资9万亿日元，未来6年两家公司将投资约5万亿日元。”
  　　
　　日本首相高市早苗也表示：“欢迎这项投资计划。半导体是增长型投资的核心，也是日美经济合作的象征。”高市表示，日本政府将提供最大限度的支持。
  　　
　　铠侠主要生产用于长期存储数据的“NAND型闪存”。该公司目前有四日市工厂（三重县四日市市）和北上工厂（岩手县北上市）两处生产基地，并决定在北上工厂新建第三厂房。
  　　
　　铠侠与闪迪共同运营生产设备，两家公司将合计投资5万亿日元。今后，两家公司将在利用日本经济产业省补贴的同时建设厂房，并推进引进生产设备。