（中央社記者張建中新竹8日電）台積電今天宣布，與ASML合作，共同推動轉移升級至12吋光罩，目標於2031年之前建立12吋光罩試產線。半導體產業專家表示，輝達（NVIDIA）GPU晶片尺寸越來越大，是促使台積電與ASML這次合作的一大關鍵。
台積電今天發布新聞表示，於BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布與艾司摩爾（ASML）共同推動半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩合作計畫，High NA（高數值孔徑）EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩。
半導體產業專家說，半導體製造廠採用6吋光罩曝光生產已行之多年，隨著High NA EUV單次曝光面積縮小，加上人工智慧（AI）晶片龍頭輝達的GPU晶片日益複雜，尺寸越來越大，使得6吋光罩成為半導體先進製程一大痛點。
專家表示，改採方形的玻璃基板可以減少下腳料，不過，改採更大的12吋光罩，才能夠解決曝光時需要兩張6吋光罩拼接的問題，提升生產力，並可增加輝達GPU設計的彈性。
專家指出，光罩自6吋升級至12吋是半導體業一大工程，除台積電與ASML合作外，還需要電子設計自動化（EDA）、光阻劑、光罩盒等生態系共同投入。英特爾（Intel）及三星（Samsung）也參與推動12吋光罩技術的產業倡議，有助於擴大經濟規模，加大供應鏈投入的意願。（編輯：張均懋）1150908
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