但Pecotek开发的核心技术却流向了中国。曾在Pecotek工作17年、负责中国工厂零部件生产的金某,去年年初跳槽到中国竞争对手A公司时,将包含核心技术的文件存储在USB里擅自带出。因此,金某被起诉,去年11月在一审中被判处有期徒刑2年6个月。但在今年5月的二审中,刑期被减为2年4个月。
韩国企业在半导体、显示器、二次电池等领域投入巨额资金和时间开发的核心技术,正被海外的竞争对手窃取,但业界指出,对技术泄露犯罪者的处罚过轻。因此,泄露国家核心技术的案件层出不穷。
中国最大的DRAM企业长鑫存储(CXMT),2016年成立后不久便瞄准了韩国的半导体人才。曾是三星电子部长级研究员的金某,窃取了三星电子的半导体工艺信息,2016年跳槽至CXMT。除金某外,CXMT还接连引进了来自三星电子和SK海力士的半导体人才。此后,CXMT迅速成长,成为威胁三星电子和SK海力士的DRAM企业。但对窃取三星半导体技术的金某的处罚只有6年4个月的有期徒刑。一位商界相关人士说:“最近,一名50代的惯偷因偷窃140万韩元(人民币约6804元)被判有期徒刑3年,而窃取国家核心技术的产业间谍却屡屡被判处比这更低的刑罚。”
▲ 制图=梁仁星 5年里技术泄露损失高达23万亿……因“初犯”“非机密”接连被减刑随着AI(人工智能)时代的到来,围绕半导体等尖端技术的国家间竞争日益激烈。特别是试图将韩国在高带宽存储器(HBM)等AI半导体核心技术方面的领先技术泄露到海外的尝试正在变得越来越多。警方移交检察院的技术泄露海外案件从2021年的9起增加到2025年的33起。在5年来发生的103起海外技术泄露案件中,有66起(64%)试图将技术泄露到中国。按泄露技术的领域来划分,产业主导权已经被中国掌握的显示技术最多,多达28起,其次是半导体,为18起。韩国国家情报院估算,2020-2024年发生的尖端技术泄露犯罪造成的损失约为23万亿韩元(人民币约1118亿元)。
将国内的半导体技术交给中国企业的金某,2021年在Pecotek时期被派往中国当地工厂,负责总管生产领域的工作。但由于工作业绩不佳,他收到了来自Pecotek的劝退通知,去年3月被中国企业A公司挖走,担任厂长。A公司新打入了由Pecotek占据70%市场份额的HBM半导体相关设备“毛细管劈刀”的市场。
金某被指控在跳槽至A公司的过程中,泄露了Pecotek的毛细管劈刀相关技术。根据本报取得的金某案件一审和二审的判决书,他在去年2月底确定跳槽至A公司时,从公司带走了保存着毛细管劈刀相关工艺信息的U盘。此后,金某还从Pecotek的前同事那里拿到了截至去年4月与毛细管劈刀生产相关的资料。这些资料包括产品次品报告、竞争对手产品对比分析结果、每日生产现状等。为金某提供资料的其他Pecotek员工也已离职,跳槽至竞争对手公司或创业。
金某去年5月因Pecotek的举报而被警方紧急逮捕,随后被移交审判。首尔中央地方法院去年11月一审判处金某有期徒刑2年6个月。审判部表示:“被告与其他共犯一起企图销毁证据等,犯罪后的情况不佳。”但在去年5月的二审中,金某的刑期被减为2年4个月。在金某泄露的信息中,“每日生产情况”资料是所有Pecotek员工都可以查阅和打印的资料,这成为了减刑因素。但Pecotek相关人士表示:“这包含了我们公司的工艺管理诀窍,公开对象仅限于管理人员,是无法从其他地方获得的资料。”
▲ 制图=宋允慧 韩国半导体企业SKC的技术泄露案件也是一个仅被轻罚的案例。曾担任SKC研究员的B某2019年未能晋升为高管。于是,B某在当年6月决定与中国企业一起开展与半导体晶圆化学机械研磨(CMP)相关的业务。计划在中国企业的旗下以子公司的形式建设工厂并运营。之后,B某用手机拍摄了包括相关技术工艺等在内的SKC的机密资料,泄露给了中国企业。SKC合作企业的相关人员也被招揽进了中国企业。最终,B某的犯罪行为被察觉后遭到起诉。但在一审和二审中,他被判处的刑期只有2年6个月。随着国家尖端技术不断被泄露,大法院量刑委员会将2024年相关犯罪的刑罚提高至最高18年有期徒刑。但在各级法院作出的技术泄露犯罪相关判决中,像Pecotek或SKC这样的案件刑期只有2-3年。即便如此,经过上诉审后减刑的情况也很多。
律村律师事务所顾问孙承佑说:“虽然产业技术泄露案件根据损失的金额来决定刑量,但如果技术泄露到海外,是很难计算损失金额的。因此,对技术泄露罪犯的刑量往往较低。”一位有丰富技术泄露侦查经验的警察说:“技术泄露案的嫌疑人大多是初犯,这也是法院判刑较轻的因素”。
曾在三星电子担任研究员的金某,在跳槽至中国长江存储(CXMT)时,泄露了三星电子8纳米DRAM半导体的工艺信息,去年2月他在一审中被法院判处有期徒刑7年,并处罚金2亿韩元(人民币约97万元);在二审中刑期被减至6年,经过发回重审等程序,最终在今年4月确定了6年4个月的有期徒刑。
业界指出,考虑到金某窃取的三星电子技术资料的重要性,这一量刑过轻。除了金某,长鑫存储还引进了曾在三星电子担任DRAM开发核心研究员的朴某等人。朴某在离职前,将三星电子斥资1万6000亿韩元(人民币约78亿元)开发的18纳米级DRAM技术全部抄录带走。此后,长鑫存储还掌握了SK海力士的技术,2023年在中国首个、全球第四个成功实现10纳米级DRAM的量产。检方认为,金某等人泄露技术导致三星电子2024年的销售额减少了5万亿韩元(人民币约243亿元),此后还给国家经济造成了数十万亿韩元的损失。
前三星电子副社长(世宗研究所客座研究员)李丙喆说:“半导体是韩国对中国拥有技术优势的最后领域。如果针对技术外泄,一直保持不痛不痒的处罚,将给韩国产业带来巨大的挑战。”
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