台積電擴產設備鏈升級。(圖/先探投資週刊提供) 字級設定：小中大特 高效能運算需求持續推升先進產能，台積電今年資本支出上修至六○○億～六四○億美元，隨著二奈米量產增加與先進封裝擴產同步推進，設備與廠務供應鏈升級。
台積電八月十一日董事會核准約二九四．四二五億美元資本預算，主要用於建置及升級先進製程產能、先進封裝與成熟或特殊製程產能，以及廠房興建與廠務設施工程，並在七月法說會將二○二六年全年資本預算展望上修至六○○億～六四○億美元，其中約七○～八○％投入先進製程、約十％配置特殊製程，另約十～二○％用於先進封裝、測試、光罩製作及其他項目，反映資本投入已由晶圓前段製程向封裝、測試與相關基礎設施同步延伸。
對設備產業而言，電晶體架構由FinFET走向GAA奈米片後，製程結構更為立體，對沉積、蝕刻、清洗、量測、缺陷檢測及製程控制的要求同步提高，再加上晶圓必須透過高度自動化傳載系統銜接各製程站點，使設備、材料與製程整合的重要性持續上升。
資本開支點火先進製程
台積電指出，以A14（1.4奈米）等先進技術而言，從技術開發、產能建置到後續量產，目前整體周期已拉長至約五～七年；A14規劃二七年進入風險試產、二八年量產，而當前先進製程投資的準備期已明確提前。當設備進入晶圓廠後，自動化傳載與廠務系統則形成另一層基礎建設。家碩產品涵蓋光罩清洗、交換、檢測、儲存與管理，並持續布局ＥＵＶ光罩傳載、自動化ＰＯＤ與ＡＯＩ檢測等設備；另一方面，高階晶圓廠還需要水、氣、化等高潔淨度製程供應系統，以及廢水與廢液處理設施。朋億*七月營收十二．九三億元、年增六四．三％，前七月營收七四．二一億元、年增四九．○四％，截至六月在手訂單達一五三億元、創歷史新高，部分專案執行能見度延伸至二七年第三季，顯示半導體與先進封裝擴產效益正從核心製程設備，逐步向自動化傳載與廠務工程供應鏈擴散。
過去提升晶片效能，主要仰賴電晶體持續微縮，但隨先進製程成本提高，以及ＡＩ運算對頻寬、功耗與記憶體容量的要求快速增加，晶片設計正加速朝GPU、ASIC、HBM與Chiplet異質整合發展，並透過CoWoS、SoIC等先進封裝技術組成更大型的運算系統。因此封裝逐漸成為影響系統頻寬、功耗、散熱、良率與量產效率的重要環節。台積電目前已量產五．五倍光罩尺寸CoWoS，良率超過九八％；因應ＡＩ需求，公司持續擴充先進封裝產能，並規劃二八年推出可整合二○個HBM的十四倍光罩尺寸CoWoS，二○二九年再進一步朝可整合二四個HBM、大於十四倍光罩尺寸的版本推進。
隨著CoWoS面積持續放大，封裝與ＰＣＢ、載板、散熱及系統結構之間的交互影響同步增加，設計思維也必須由單一晶片最佳化逐步走向STCO（SystemTechnologyCo-Optimization），將晶片、封裝、載板、ＰＣＢ、電源、散熱與系統可靠度等條件提前納入協同設計。當CoWoS由五．五倍光罩向十四倍、甚至更大尺寸發展，設備供應鏈面對的挑戰也將由單機精度進一步延伸至大面積均勻性、翹曲控制、熱管理與系統整合能力。
大尺寸封裝重塑設備鏈
弘塑管理層表示，目前產能僅能滿足客戶需求約三分之一、甚至四分之一，並預期相關需求熱度至二○三○年前仍不易減弱。弘塑長期深耕半導體濕製程設備，隨CoWoS封裝尺寸持續放大，晶圓與封裝表面的清洗、表面處理及製程均勻性要求也隨之提高；處理面積增加後，微粒、殘留物與局部表面不均的控制難度上升，也可能增加後續ＲＤＬ、電鍍與鍵合製程的良率管理難度。
弘塑的布局也透過旗下佳霖向先進鍵合領域延伸，佳霖與青輝半導體合作導入ＳＡＢ表面活化鍵合、混合鍵合（Hybrid Bonding）等技術，意味著台灣先進封裝設備供應鏈正由單一清洗與表面處理，逐步朝表面活化、精密處理與鍵合等製程整合發展。（全文未完）
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